Snapdragon 830: ожидаем во второй половине 2017 года
Опубликовано | 28.11.2016 12:40 Просмотров | 992 Всего комментариев | 00 Рейтинг |       5 5 1

Snapdragon 830: ожидаем во второй половине 2017 года

Не так давно компания Qualcomm объявила о сотрудничестве с южнокорейским гигантом Samsung, результатом которого станет выход чипа Snapdragon 835, созданного на базе 10-нанометрового техпроцесса FinFET. Ожидается, что первые серийные образцы устройств с этим процессором появятся на рынке уже в первой половине 2017 года, а чести быть первыми удостоились Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6.

 

 

После предварительного анонса нового 8-ядерного чипа с технологией быстрой зарядки последнего поколения Quick Charge 4.0, в сети активно заговорили о том, что это есть тот продукт, о котором ранее говорили как о чипе Snapdragon 830. Последние известия с просторов Китая предрекают, что Snapdragon 830 все же выйдет и произойдет это во второй половине 2017 года. По предварительным данным он получит 6 или 8 ядер Kryo 200 и также будет изготовлен по нормам 10-нм техпроцесса FinFET. Найдется в новом чипе место графике Adreno 519 и LTE-модему стандарта Cat.12.

 

Напомним, что Samsung Electronics в октябре первой в индустрии полупроводниковой продукции объявила о начале массового производства 10-нм процессоров. Благодаря применению инновационной технологии удалось добиться прироста производительности на 27% при снижении потребления энергии на 40%. 

Snapdragon 830 Qualcomm

Автор: Ирина Кошелева

2013-2017 © Andro-news.com. All rights reserved.

  • Рассказать

Написать комментарий

Здесь может быть написан ваш комментарий

* - поля, обязательные для заполнения
*:
:
*:
*:
Введите код на картинке
   

Andro-news рекоммендует. Экономь до 30% на своих покупках.