Snapdragon 830 получит новое поколение быстрой зарядки Quick Charge 4.0

12.11.2016 2336 0

Мы уже не раз писали о подготовке Qualcomm нового флагманского процессора Snapdragon 830, который в 2017 году должен дебютировать в различных высококлассных смартфонах. Теперь благодаря информированным источникам мы узнали, что параллельно специалисты компании совершенствуют фирменную технологию быстрой зарядки Quick Charge.

 

Snapdragon 830 получит новое поколение быстрой зарядки  Quick Charge 4.0 – фото 1

 

Сообщается, что Snapdragon 830 получит на вооружение Quick Charge 4.0, которая предложит мощность 28 Вт. Информаторы утверждают, что чип будет поддерживать 5V/4.7A~5.6A, 9B/4A, а это сулит ультрабыструю зарядку устройств. Естественно, что такая высокая мощность может спровоцировать взрыв батареи. Не допустить этого, призвана технология INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). Она отвечает за адаптацию и оптимизацию напряжения и силы тока под возможности зарядного устройства. Специалисты Qualcomm уверены, что такая тонкая настройка в итоге и позволит найти нужный баланс безопасности и быстрой зарядки.

 

Напомним, что Snapdragon 830 будет базироваться на ядрах Kryo 200, и для его создания использована 10-нанометровая технология. Массовое производство чипа развернется на площадях компании Samsung, но не исключено, что к выпуску процессоров будет причастна и TSMC. 

Автор: Ирина Кошелева Дата публикации: 12.11.2016

Комментарии

telegram__banner.png

Последние ролики на YouTube
Snapdragon 830 получит новое поколение быстрой зарядки Quick Charge 4.0

210x480_a32-52-1

210x480_a32-72-1