IBM и Samsung придумали как обойти закон Мура, создавая мощные и энергоэффективные чипы
Технология вертикальных транзисторов VTFET обещает невиданный прогресс в создании чипов
IBM и Samsung объявили о совершении прорыва в разработке полупроводников. На конференции IEDM в Сан-Франциско компании анонсировали новую конструкцию с вертикальным размещением транзисторов на кристалле. Современные системы на чипе содержат транзисторы, лежащие на поверхности кремния, где электрический ток течет из стороны в сторону. Вертикальные же транспортные полевые транзисторы (VTFET) расположены перпендикулярно друг другу и ток течет вертикально.
IBM и Samsung считают, такая конструкция обладает несколькими преимуществами. Прежде всего, это поможет им обойти многие ограничения производительности и закон Мура. Что важно, конструкция приводит к меньшим потерям энергии благодаря большему току. По их оценкам, VTFET позволит создавать процессоры, которые будут вмещать большее количество транзисторов, будут вдвое быстрее и потреблять на 85% меньше энергии, чем чипы, разработанные с транзисторами FinFET.
IBM и Samsung утверждают, что наступит время, когда благодаря таким чипам смартфоны будут работать целую неделю без подзарядки. Они говорят, что это также поможет сделать выполнение ряда задач менее энергоемкими, например, криптомайнинг, более энергоэффективным и менее вредным для окружающей среды. Не исключено, что новейшие чипы найдут свое применение в Интернете вещей и в космических кораблях.
IBM и Samsung не дали никакой конкретики, когда они планируют в будущем выпустить чипы с новой конструкцией.
Подписывайтесь на Andro News в Telegram, «ВКонтакте» и YouTube-канал.
Источник: theverge