Перша інформація про Samsung Exynos 2500 – 3 нм, LPDDR5T, RDNA 4

30.10.2023 853 0

Прогрес є, але конкуренти теж не стоятимуть на місці

Samsung Exynos 2400 отримав непогану продуктивність, але все ще відстає від конкурентів. Згідно з останніми чутками, Exynos 2500 буде працювати у парі з графічним процесором AMD на архітектурі RDNA 4, а також швидшою та ефективнішою оперативною пам’яттю. Він також може бути першим 3 нм процесором Samsung.

 

 Samsung Exynos 2500


Інсайдер Revegnus поділився багатообіцяльними специфікаціями Samsung Exynos 2500. Модель 2400 має графічний процесор Xlicpse 940 на архітектурі AMD RDNA3, новий отримає GPU на RDNA 4, хоча точна назва та інші деталі невідомі. Однак покращена архітектура означає, що новий графічний процесор RDNA4 може отримати продуктивність растеризації та трасування променів, однак значною мірою ще залежить від кількості обчислювальних блоків та інших параметрів.

 

 Samsung Exynos 2500


Ще одне очікуване оновлення в Exynos 2500 – підтримка оперативної пам’яті LPDDR5T. Раніше Snapdragon 8 Gen 3 був протестований з цією пам’яттю, але виробники телефонів наразі не використовують її у наявних пристроях. Попри вдосконалення LPDDR5T порівняно з LPDDR5X, схоже, що вона має більшу собівартість. Тому Samsung стала ризикувати підвищенням ціни Exynos 2400 і зарезервувала LPDDR5T на наступний рік.


Хоча інформація ще не підтверджена, Exynos 2500 також може стати першим 3 нм процесором Samsung та використовуватиме переваги процесу GAA корейського виробника для покращення продуктивності та підвищення енергоефективності. Ще одна причина, чому Samsung продовжує розробку Exynos 2500, полягає в тому, що Snapdragon 8 Gen 4 може бути дорожчим у виробництві, ніж Snapdragon 8 Gen 3 через спеціальні ядра Oryon від Qualcomm, що полегшить конкуренцію.

 

Джерело: Wccftech

Автор: Андрій Русанов Дата публікації: 30.10.2023
Коментарі
Всього коментарів: 0
Тут може бути написаний ваш коментар
 
 

telegram__banner.png

Останні ролики на YouTube
Перша інформація про Samsung Exynos 2500 – 3 нм, LPDDR5T, RDNA 4