Samsung розпочне серійне виробництво 3-нм чіпів у третьому кварталі

01.05.2022 1589 0

Обіцяно покращення всіх показників

Минулого четверга Samsung заявила, що знаходиться за крок від початку серійного виробництва чіпів з використанням свого технологічного процесу 3GAE (3-нм клас Gate all-round Early). Почати масовий випуск мікросхем компанія має намір у третьому кварталі і це будуть перші рішення, де застосовуються польові транзистори із затвором (GAAFET).

 

Samsung розпочне серійне виробництво 3-нм чіпів у третьому кварталі – фото 1

 

Мета розпочати випуск таких процесорів продиктована бажанням Samsung покращити технологічне лідерство за рахунок першого у світі масового виробництва процесу GAA 3-nano. Техпроцес 3GAE від Samsung Foundry – це перший технологічний процес компанії, де використовуються транзистори GAA, які Samsung офіційно називає багатомостовими польовими транзисторами GAAFET.

 

Samsung розпочне серійне виробництво 3-нм чіпів у третьому кварталі – фото 2

 

Samsung офіційно представила свої вузли 3GAE та 3GAP десь три роки тому. Тоді вона заявила, що цей процес дозволить підвищити продуктивність на 30%, зменшити енергоспоживання на 50% та збільшити густину транзисторів до 80% (включаючи поєднання логічних транзисторів та транзисторів SRAM). Теоретично нові процесори матимуть цілу низку переваг у порівнянні з однокристальними системами, створеними за технологією FinFET.

 

Samsung розпочне серійне виробництво 3-нм чіпів у третьому кварталі – фото 3

 

У GAA-транзисторах канали вважали за краще розташувати горизонтально і їх оточили затворами. Канали GAA сформовані за допомогою епітаксії (нарощування одного кристала на іншому) та селективного видалення матеріалів, що дозволяє розробникам точно налаштовувати їх, регулюючи ширину каналу транзистора. Висока продуктивність досягається за рахунок ширших каналів, а вужчі канали відповідають за низьку продуктивність. Така точність зменшує струм витоку транзистора (тобто знижує енергоспоживання), а також мінливість характеристик транзистора дозволяє вивести вироби ринку за короткий термін. Крім того, GAAFET дозволить зменшити площу кристала на 20-30%.

На даний момент техпроцес 3GAE знаходиться на ранній стадії і в основному використовуватиметься підрозділом Samsung LSI. Можливо, два або три великі клієнти, що дозволять використовувати нову технологію досить широко і ми побачимо чимало чіпів, виготовлених за її допомогою.

 

Підписуйтесь на Andro News у Telegram , « ВКонтакті » та YouTube -канал.

 

Джерело: tomshardware

Автор: Ирина Кошелева Дата публікації: 01.05.2022
Коментарі
Всього коментарів: 0
Тут може бути написаний ваш коментар
 
 

telegram__banner.png

Останні ролики на YouTube
Samsung розпочне серійне виробництво 3-нм чіпів у третьому кварталі