Якою мовою ви хочете читати наш сайт?

Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале

01.05.2022 1534 0

Обещано улучшение всех показателей

В минувший четверг Samsung заявила, что находится в шаге от начала серийного производства чипов с использованием своего технологического процесса 3GAE (3-нм класс Gate all-round Early). Начать массовый выпуск микросхем компания намерена в третьем квартале и это будут первые решения, где применяются полевые транзисторы с затвором (GAAFET).

 

Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале – фото 1

 

Цель начать выпуск таких процессоров продиктована желанием Samsung улучшить технологическое лидерство за счет первого в мире массового производства процесса GAA 3-nano. Техпроцесс 3GAE от Samsung Foundry — это первый технологический процесс компании, где используются транзисторы GAA, которые Samsung официально называет многомостовыми полевыми транзисторами GAAFET.

 

Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале – фото 2

 

Samsung официально представила свои узлы 3GAE и 3GAP где-то три года назад. Тогда она заявила, что этот процесс позволит повысить производительность на 30%, уменьшить энергопотребление на 50% и увеличить плотность транзисторов до 80% (включая сочетание логических транзисторов и транзисторов SRAM). Теоретически новые процессоры будут иметь целый ряд преимуществ по сравнению с однокристальными системами, созданными по технологии FinFET.

 

Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале – фото 3

 

В GAA-транзисторах каналы предпочли расположить горизонтально и их окружили затворами. Каналы GAA сформированы посредством эпитаксии (наращивание одного кристалла на другом) и селективного удаления материалов, что позволяет разработчикам точно настраивать их, регулируя ширину канала транзистора. Высокая производительность достигается за счет более широких каналов, а более узкие каналы отвечают за низкую производительность. Такая точность уменьшает ток утечки транзистора (т. е. снижает энергопотребление), а также изменчивость характеристик транзистора позволяет вывести изделия на рынок за короткий срок. Кроме того, GAAFET позволить уменьшить площадь кристалла на 20–30%.

На данный момент техпроцесс 3GAE находится на ранней стадии и будет в основном использоваться подразделением Samsung LSI. Возможно, два или три крупных клиента, что позволить использовать новую технологию достаточно широко и мы увидим немало чипов, произведенных с ее помощью.

 

Подписывайтесь на Andro News в Telegram, «ВКонтакте» и YouTube-канал.

 

Источник: tomshardware

Автор: Ирина Кошелева Дата публикации: 01.05.2022

Комментарии

Всего комментариев: 0
Здесь может быть написан ваш комментарий
 
 

telegram__banner.png

Последние ролики на YouTube
Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале