Snapdragon 830 будет построен по 10нм техпроцессу FinFET от Samsung
Опубликовано | 22.01.2016 14:03 Просмотров | 1549 Всего комментариев | 00 Рейтинг |       5 5 1

Snapdragon 830 будет построен по 10нм техпроцессу FinFET от Samsung

Многие ждут появления на рынке смартфонов с Snapdragon 820, который должен составить конкуренцию таким монстрам как A9, Helio X20 и Exynos 8890. Вместе с тем мы уже слышали информацию о том, что Qualcomm работает над следующим флагманским решением Snapdragon 830. Очередная порция слухов говорит в пользу того, что новинка будет создана по 10-нанометровому техпроцессу компании Samsung.

 

 

Вместе с тем инсайдерский источник утверждает, что в основе архитектуры Snapdragon 830 (MSM8898) вновь будут использованы ядра собственной разработки Kryo следующего поколения. Вместе с тем, не так давно в сети появилась информация, что Qualcomm откажется от применения Kryo ядер в своих новых продуктах из-за высокого уровня затрат по их производству. Какой из слухов в итоге окажется правдой, мы узнаем лишь после анонса чипсета.

Samsung стал первым, кому удалось наладить серийное производство мобильных чипов с технологией 14нм FinFET, которая применена в Exynos 8890 и Snapdragon 820. Вполне логично, что Qualcomm может продолжить сотрудничество с Samsung, результатом которого и станет Snapdragon 830 с 10 нм техпроцессом.  Похоже, что новый чипсет будет поддерживать работу смартфонов с 8 Гб ОЗУ и предложит еще более высокий уровень производительности. 

 

Snapdragon 830

Автор: Андрей Ковтун

2013-2017 © Andro-news.com. All rights reserved.

  • Рассказать

Написать комментарий

Здесь может быть написан ваш комментарий

* - поля, обязательные для заполнения
*:
:
*:
*:
Введите код на картинке
   

Andro-news рекоммендует. Экономь до 30% на своих покупках.