Samsung Galaxy Note 6 первым получит чипы памяти формата UFS 2.0 со скоростью записи/чтения до 850/250Мбит/с
Опубликовано | 04.04.2016 15:20 Просмотров | 3306 Всего комментариев | 00 Рейтинг |       5 5 1

Samsung Galaxy Note 6 первым получит чипы памяти формата UFS 2.0 со скоростью записи/чтения до 850/250Мбит/с

В феврале нынешнего года южнокорейский гигант Samsung объявил о старте массового производства микрочипов встраиваемой памяти емкостью до 256 Гб, выполненных по стандарту Universal Flash Storage (UFS) 2.0, и предназначенных для установки в будущих флагманах на платформе Android.

 

 

В соответствии с информацией на официальном сайте Samsung, чип KLUEG8U1EM-B0B1 обладает габаритами 11,5х13х1,2 мм и всего на 0,2 мм толще, чем чипы с флеш-памятью на 32 Гб. Как заявляют создатели, новое решение положительно скажется на росте производительности смартфонов, и будет превосходить SSD с SATA-интерфейсом, используемые в настольных решениях. Помимо этого, новый накопитель от Samsung почти в  2 раза превосходит по скорости указанные чипы и обеспечивает передачу данных со скоростью 850 Мбит/с по двум каналам. При записи же информации предлагается пропускная способность 250 Мбит/с. Такое решение позволит обеспечивать плавность воспроизведения видео в формате Ultra HD и накопитель поддерживает работу с большими дисплеями с функцией разделения экрана. Как ожидается, первым смартфоном, где найдет свое применение новый чип памяти формата USF 2.0, будет Samsung Galaxy Note 6, чей анонс может состояться уже летом. 

 

Samsung Galaxy Note 6 Samsung

Автор: Андрей Ковтун

2013-2017 © Andro-news.com. All rights reserved.

  • Рассказать

Написать комментарий

Здесь может быть написан ваш комментарий

* - поля, обязательные для заполнения
*:
:
*:
*:
Введите код на картинке
   

Andro-news рекоммендует. Экономь до 30% на своих покупках.