Samsung начала массовое производство чипов памяти eUFS 3.1

17.03.2020 3322 0

Samsung объявила о начале массового производства флеш-памяти стандарта eUFS 3.1 емкостью 512 Гб. Есть версии с 128 Гб или 256 Гб памяти. Скорость записи данных может достигать отметки 1,2 Гбайт/с и это самые быстрые чипы в индустрии. Заявленные модули памяти найдут свое применение в смартфонах, планшетах и ноутбуках.

 

Samsung начала массовое производство чипов памяти eUFS 3.1 – фото 1

 

По итогам тестов оказалось, что eUFS 3.1 втрое быстрее eUFS 3.0. Необходимо всего 1,5 минуты, чтобы записать файл объемом 100 Гб. Прирост производительности нового чипа по сравнению с UFS 3.0 составил внушительные 60%. По заявлению компании, новый чип обеспечивает более чем вдвое большую скорость, чем SATA-ПК, и более чем в десять раз большую, чем UHS-I.

 

С появлением новой флеш-памяти Samsung в устройствах, пользователи получат возможность быстрее и комфортнее работать с большими файлами, а еще она станет приятным дополнением для гаджетов с поддержкой 8К видео. 

 

Samsung начала массовое производство чипов памяти eUFS 3.1 – фото 2

 

Скорость записи случайных блоков в терминах IOPS достигла отметки 70 тысяч, а скорость чтения составила 100 тысяч OIPS. Ожидается, что новые чипы появятся в коммерческих продуктах не ранее второй половины нынешнего года.

 

Ранее Western Digital и Armor (Toshiba Storage) также анонсировали свою флеш-память UFS 3.1, но в итоге их серийное производство так и не стартовало.

 

Источник: gadgets

Автор: Ирина Кошелева Дата публикации: 17.03.2020

Комментарии

Всего комментариев: 0
Здесь может быть написан ваш комментарий
 

telegram__banner.png

Samsung начала массовое производство чипов памяти eUFS 3.1